Vishay 双N沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 7 A, SO-8, 表面安装, 8引脚, SQ4946CEY-T1_BE3, SQ4946CEY系列

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735-123
制造商零件编号:
SQ4946CEY-T1_BE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

双N沟道

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

7A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

SO-8

系列

SQ4946CEY

安装类型

表面安装

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.04Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

17nC

最大功耗 Pd

4.8W

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

175°C

长度

2.1mm

标准/认证

RoHS

宽度

2.1mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
DE
Vishay Automotive MOSFET专为双N沟道应用而设计,可在汽车环境中提供可靠的高性能开关切换。它具备60V的最大漏源电压,结构坚固,可确保在恶劣条件下经久耐用。

单支路连续漏极电流能力为7A

双配置可优化空间和性能

工作温度范围为-55°C至+175°C