Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=16 A, 8针, powerpak 1212-1e 8W, SQS484CENW系列

N
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735-126
制造商零件编号:
SQS484CENW-T1_BE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

16A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

powerpak 1212-1e 8W

系列

SQS484CENW

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.0095Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

6.25W

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

12.3nC

最高工作温度

175°C

宽度

3.3mm

标准/认证

RoHS

长度

3.3mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
DE
Vishay Power MOSFET可在汽车应用中发挥卓越性能，具有低导通电阻的特性，开关性能可靠、速度快，在各类电源管理任务中具备极高效率。

可处理高达16A的连续漏极电流

工作温度范围宽：-55°C至+175°C

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