Vishay N 沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 12 A, powerpak 1212-1e 8W, 表面安装, 8引脚, SQS840CENW-T1_BE3, SQS840CENW系列
- RS 库存编号:
- 735-127
- 制造商零件编号:
- SQS840CENW-T1_BE3
- 制造商:
- Vishay
N
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- RS 库存编号:
- 735-127
- 制造商零件编号:
- SQS840CENW-T1_BE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 12A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | powerpak 1212-1e 8W | |
| 系列 | SQS840CENW | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.02Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最大功耗 Pd | 33W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 13nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 宽度 | 3.3mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 12A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 powerpak 1212-1e 8W | ||
系列 SQS840CENW | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.02Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最大功耗 Pd 33W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 13nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 3.3mm | ||
宽度 3.3mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Vishay Power MOSFET具备高效、高性能开关功能，专为汽车应用量身打造，可在严苛工况下可靠运行。
TrenchFET技术确保出色的热性能
通过AEC-Q101认证，符合严格的汽车行业标准
导通电阻低，提升电流效率