Vishay N 沟道 增强型 MOSFET, Vds=800 V, 17.4 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SIHB21N80AE-T1-GE3, SIHB21N80AE系列
- RS 库存编号:
- 735-128
- 制造商零件编号:
- SIHB21N80AE-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
N
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 735-128
- 制造商零件编号:
- SIHB21N80AE-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 17.4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | SIHB21N80AE | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.205Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 179W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 48nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 0.42mm | |
| 宽度 | 0.355mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 17.4A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 SIHB21N80AE | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.205Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 179W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 48nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 0.42mm | ||
宽度 0.355mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
Vishay Power MOSFET专为在电源和其他应用中高效运行而设计，能够减少能量损耗并提高可靠性。
D2PAK封装形式，外形小巧，可节省空间
开关和传导损耗更低，性能更高