Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=55 A, 8针, PowerPAK 1212, SiS系列

N

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RS 库存编号:
735-132
制造商零件编号:
SISD5110DN-T1-UE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

55A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

PowerPAK 1212

系列

SiS

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.0095Ω

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

57W

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

19.3nC

正向电压 Vf

100V

最高工作温度

150°C

高度

1mm

长度

4mm

宽度

4mm

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
DE
Vishay N 通道 TrenchFET Gen V 功率 MOSFET 经过优化,可在 AI 电源服务器解决方案和高密度电源中实现低损耗开关。它可实现 100 V 漏源额定值,在 10 V 栅极驱动下具有极低的导通电阻,最大为 9.5 mΩ,以最大程度减少传导损耗。

TC=25°C 时连续排放电流为 55 A

57W 最大功耗

最大总栅极电荷低至 29 nC

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