Vishay N沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 55 A, PowerPAK 1212, 表面安装, 8引脚, SiSD5110DN, SiS系列
- RS 库存编号:
- 735-132
- 制造商零件编号:
- SiSD5110DN
- 制造商:
- Vishay
N
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB17.85 |
| 10 - 24 | RMB11.63 |
| 25 - 99 | RMB6.12 |
| 100 - 499 | RMB5.92 |
| 500 + | RMB5.82 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 735-132
- 制造商零件编号:
- SiSD5110DN
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 55A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212 | |
| 系列 | SiS | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0095Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 100V | |
| 最大功耗 Pd | 57W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 19.3nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1mm | |
| 宽度 | 4mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N沟道 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 55A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 PowerPAK 1212 | ||
系列 SiS | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0095Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 100V | ||
最大功耗 Pd 57W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 19.3nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1mm | ||
宽度 4mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 4mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Vishay N 通道 TrenchFET Gen V 功率 MOSFET 经过优化,可在 AI 电源服务器解决方案和高密度电源中实现低损耗开关。它可实现 100 V 漏源额定值,在 10 V 栅极驱动下具有极低的导通电阻,最大为 9.5 mΩ,以最大程度减少传导损耗。
TC=25°C 时连续排放电流为 55 A
57W 最大功耗
最大总栅极电荷低至 29 nC