Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=80 V, Id=146 A, 8针, PowerPAK SO-8, SiR系列

N

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RS 库存编号:
735-135
制造商零件编号:
SiR580DP
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

146A

最大漏源电压 Vd

80V

包装类型

PowerPAK SO-8

系列

SiR

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.0027Ω

通道模式

增强

正向电压 Vf

80V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

50.6nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

104W

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

长度

7mm

高度

2mm

宽度

6mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN
Vishay N 通道功率 MOSFET 额定电压为 80 V,适用于AI 电源服务器和直流/直流转换器应用中的高效切换。它在 10 V 栅极驱动下提供最大 2.7 mΩ 的超低导通电阻,可最大程度减少重负载下的传导损耗。

TC=25°C 时连续排放电流为 146 A

76nC 最大总栅极电荷

-55°C 至 +150°C 工作接点温度

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