Vishay N沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 795 A, PowerPAK 10 x 12, 表面安装, 8引脚, SiJK140E, SiK系列

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735-142
制造商零件编号:
SiJK140E
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N沟道

最大连续漏极电流 Id

795A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

PowerPAK 10 x 12

系列

SiK

安装类型

表面安装

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.00047Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

312nC

最大功耗 Pd

536W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

40V

最高工作温度

175°C

高度

4mm

长度

12mm

宽度

10mm

标准/认证

RoHS

汽车标准

COO (Country of Origin):
DE
Vishay N通道MOSFET的额定漏源电压为60 V,针对AI电源服务器直流/直流转换器和同步整流电路的高效切换进行了优化。它在 10 V 栅极驱动下可实现极低的导通电阻,最大为 1.7 mΩ,可在高电流应用中将传导损耗降至最低

0.21°C/W低RthJC,可实现卓越的热性能

312nC 典型总栅极电荷

标准电平FET,带最小2.4 V VGS