Vishay N沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 100 A, PowerPAK SO-8, 表面安装, 8引脚, SiR638ADP, SiR系列
- RS 库存编号:
- 735-146
- 制造商零件编号:
- SiR638ADP
- 制造商:
- Vishay
N
可享批量折扣
小计（1 件）*
RMB18.55
(不含税)
RMB20.96
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年9月30日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB18.55 |
| 10 - 24 | RMB12.03 |
| 25 - 99 | RMB6.32 |
| 100 - 499 | RMB6.22 |
| 500 + | RMB6.02 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 735-146
- 制造商零件编号:
- SiR638ADP
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 100A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | PowerPAK SO-8 | |
| 系列 | SiR | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.00088Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 104W | |
| 正向电压 Vf | 40V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 110nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 7mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 6mm | |
| 高度 | 2mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 100A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 PowerPAK SO-8 | ||
系列 SiR | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.00088Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 104W | ||
正向电压 Vf 40V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 110nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 7mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 6mm | ||
高度 2mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay N通道MOSFET的漏源电压额定值为40 V,针对AI服务器应用中的高功率密度直流/直流转换器进行了优化。它在 10 V 栅极驱动下提供最大 0.88 mΩ 的超低导通电阻,可在同步整流电路中实现卓越的传导效率。
147S 正向传导率
10 V VGS 时为 110nC 总栅极电荷
Qgd/Qgs比小于1,可优化开关