Vishay N 沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 680 A, PowerPAK SO-8S, 表面安装, 8引脚, SiRS4300DP, SiR系列
- RS 库存编号:
- 735-147
- 制造商零件编号:
- SiRS4300DP
- 制造商:
- Vishay
N
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 735-147
- 制造商零件编号:
- SiRS4300DP
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 680A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | PowerPAK SO-8S | |
| 系列 | SiR | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0004Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 278W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 180nC | |
| 正向电压 Vf | 30V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 6mm | |
| 宽度 | 5mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 2mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 680A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 PowerPAK SO-8S | ||
系列 SiR | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0004Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 278W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 180nC | ||
正向电压 Vf 30V | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 6mm | ||
宽度 5mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 2mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay N通道MOSFET的额定漏源电压为30 V,专为AI电源服务器降压转换器和高电流供电系统中的超低损耗同步整流而设计。它可在 10 V 栅极驱动下达到400 μΩ的极低导通电阻,从而在极高密度应用中最大限度提高效率。
278W 额定功耗
100% Rg 和 UIS 测试结构