Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=518 A, 8针, PowerPAK SO-8S, SiR系列

N

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735-148
制造商零件编号:
SIRS4302DP-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

518A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

SiR

包装类型

PowerPAK SO-8S

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.00057Ω

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20V

正向电压 Vf

30V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

153nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

245W

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

宽度

5mm

高度

2mm

长度

6mm

汽车标准

否

Vishay N通道MOSFET的额定漏源电压为60 V,针对AI电源服务器直流/直流转换器和同步整流电路的高效切换进行了优化。它在 10 V 栅极驱动下可实现极低的导通电阻,最大为 1.7 mΩ,可在高电流应用中将传导损耗降至最低

TA=25°C 时连续排放电流为 87 A

低 RDS(on) x Qg 品质指数,实现卓越的开关性能

100% Rg 和 UIS 测试结构

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