Vishay N 沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 437 A, PowerPAK (8x8L), 表面安装, 4引脚, SIJH602E-T1-GE3, TrenchFET系列

N
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735-199
制造商零件编号:
SIJH602E-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N 沟道

最大连续漏极电流 Id

437A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

PowerPAK (8x8L)

系列

TrenchFET

安装类型

表面安装

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

0.00115Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

130nC

最大功耗 Pd

333W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最高工作温度

175°C

长度

8mm

宽度

7.9 mm

标准/认证

RoHS Compliant

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN