Vishay P-通道沟道增强型MOSFET, Vds=-20 V, Id=-267 A, 8针, PowerPAK SO-8, TrenchFET系列

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RS 库存编号:
735-200
制造商零件编号:
SIR5203DP-T1-UE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

P-通道

最大连续漏极电流 Id

-267A

最大漏源电压 Vd

-20V

系列

TrenchFET

包装类型

PowerPAK SO-8

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.0018Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

104.1W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

340nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

宽度

5.26mm

标准/认证

RoHS Compliant

长度

6.25mm

高度

1.12mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN
Vishay P通道20V MOSFET专为在紧凑型电子设计中实现高效负载开关而设计。它将可靠性能与环保特性相结合，确保安全可持续运行。它具有低电压特性，因此成为需要可靠开关解决方案的现代消费电子和汽车应用的理想选择。

符合 RoHS 标准，保障环境安全

采用无卤素结构，使用更安全

适用于负载开关应用

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