Vishay P-通道沟道 增强型 MOSFET, Vds=-20 V, -136.7 A, PowerPAK 1212-8S, 表面安装, 8引脚, SISS5207DN-T1-UE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 735-204
- 制造商零件编号:
- SISS5207DN-T1-UE3
- 制造商:
- Vishay
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- RS 库存编号:
- 735-204
- 制造商零件编号:
- SISS5207DN-T1-UE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | P-通道 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | -136.7A | |
| 最大漏源电压 Vd | -20V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212-8S | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.011Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 139nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±12 V | |
| 最大功耗 Pd | 65.7W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 0.83mm | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 宽度 | 3.4 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 P-通道 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id -136.7A | ||
最大漏源电压 Vd -20V | ||
系列 TrenchFET | ||
包装类型 PowerPAK 1212-8S | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.011Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 139nC | ||
最大栅源电压 Vgs ±12 V | ||
最大功耗 Pd 65.7W | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 0.83mm | ||
长度 3.4mm | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
宽度 3.4 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay P通道20V MOSFET专为在紧凑型电子设计中实现高效负载开关而设计。它将可靠性能与环保特性相结合，确保安全可持续运行。它具有低电压特性，因此成为需要可靠开关解决方案的现代消费电子和汽车应用的理想选择。
符合 RoHS 标准，保障环境安全
采用无卤素结构，使用更安全
适用于负载开关应用