Vishay N 沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 30 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, SIHG100N65E-GE3, E Series系列
- RS 库存编号:
- 735-208
- 制造商零件编号:
- SIHG100N65E-GE3
- 制造商:
- Vishay
N
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单位 | 每单位 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 735-208
- 制造商零件编号:
- SIHG100N65E-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 30A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-247AC | |
| 系列 | E Series | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.1Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 41nC | |
| 最大功耗 Pd | 208W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 宽度 | 15.87 mm | |
| 长度 | 20.82mm | |
| 高度 | 5.31mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 30A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-247AC | ||
系列 E Series | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.1Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±30 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 41nC | ||
最大功耗 Pd 208W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
宽度 15.87 mm | ||
长度 20.82mm | ||
高度 5.31mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- IL