Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=2.6 A, 3针, SOT-23, TrenchFET系列

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RS 库存编号:
735-213
制造商零件编号:
SI2302HDS-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

2.6A

最大漏源电压 Vd

20V

系列

TrenchFET

包装类型

SOT-23

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.075Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

8V

最大功耗 Pd

0.71W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

3.5nC

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS Compliant

汽车标准

否

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