Vishay N 沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 373 A, SO-8SW, 表面安装, 8引脚, SIRS4600EPW-T1-RE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 735-219
- 制造商零件编号:
- SIRS4600EPW-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
N
可享批量折扣
小计（1 件）*
¥43.32
(不含税)
¥48.95
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年7月06日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB43.32 |
| 10 - 49 | RMB26.87 |
| 50 - 99 | RMB20.76 |
| 100 + | RMB14.04 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 735-219
- 制造商零件编号:
- SIRS4600EPW-T1-RE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 373A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 包装类型 | SO-8SW | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0013Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 108nC | |
| 最大功耗 Pd | 333W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 宽度 | 5.1 mm | |
| 长度 | 6.1mm | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 373A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
系列 TrenchFET | ||
包装类型 SO-8SW | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0013Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 108nC | ||
最大功耗 Pd 333W | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
宽度 5.1 mm | ||
长度 6.1mm | ||
高度 0.95mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN