Vishay N沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 4.5 A, PowerPAK SC-70W-6L, 表面安装, 6引脚, SQA468CEJW-T1_GE3, TrenchFET系列

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735-226
制造商零件编号:
SQA468CEJW-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N沟道

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

4.5A

最大漏源电压 Vd

60V

包装类型

PowerPAK SC-70W-6L

系列

TrenchFET

安装类型

表面安装

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

0.37Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

3.8nC

最大功耗 Pd

13.6W

最高工作温度

175°C

长度

2.05mm

标准/认证

RoHS Compliant

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
DE
Vishay汽车级N通道MOSFET专为需要高效功率开关的高性能汽车系统设计。它兼具稳健的可靠性和耐热性,确保在恶劣环境中稳定运行。它复合环保要求并采用先进的测试工艺,因此成为现代汽车电子产品的可靠解决方案。

包括AEC Q101汽车可靠性认证

提供100% Rg和UIS测试,确保稳健性

符合 RoHS 标准,保障环境安全

采用无卤素结构,可实现环保设计