Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=340 A, 8针, PowerPAK SO-8, TrenchFET系列

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RS 库存编号:
735-236
制造商零件编号:
SIR532DP-T1-UE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

340A

最大漏源电压 Vd

30V

包装类型

PowerPAK SO-8

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.008Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

104.1W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

99.5nC

最大栅源电压 Vgs

16V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS Compliant

长度

6.15mm

宽度

5.15mm

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
IL

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