Vishay N 沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 340 A, PowerPAK SO-8, 表面安装, 8引脚, SIR532DP-T1-UE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 735-236
- 制造商零件编号:
- SIR532DP-T1-UE3
- 制造商:
- Vishay
N
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB17.05 |
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| 100 - 499 | RMB5.62 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 735-236
- 制造商零件编号:
- SIR532DP-T1-UE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 340A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | PowerPAK SO-8 | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.008Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 99.5nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 104.1W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±16 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 宽度 | 5.15 mm | |
| 长度 | 6.15mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 340A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 PowerPAK SO-8 | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.008Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 99.5nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 104.1W | ||
最大栅源电压 Vgs ±16 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
宽度 5.15 mm | ||
长度 6.15mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- IL