Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=11 A, 3针, TO-252, EF Series系列

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RS 库存编号:
735-240
制造商零件编号:
SIHD250N60EF-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

11A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-252

系列

EF Series

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.269Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

15nC

最大功耗 Pd

78W

最大栅源电压 Vgs

30V

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS Compliant

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

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