Vishay N 沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 70.6 A, PowerPAK 1212-8S, 表面安装, 8引脚, SISS586DN-T1-UE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 735-242
- 制造商零件编号:
- SISS586DN-T1-UE3
- 制造商:
- Vishay
N
可享批量折扣
小计（1 件）*
¥10.03
(不含税)
¥11.33
(含税)
暂时缺货
- 在 2027年4月23日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB10.03 |
| 10 - 24 | RMB6.52 |
| 25 - 99 | RMB3.41 |
| 100 + | RMB3.31 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 735-242
- 制造商零件编号:
- SISS586DN-T1-UE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 70.6A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212-8S | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0085Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 65.7W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 19.5nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 宽度 | 3.3 mm | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 70.6A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 PowerPAK 1212-8S | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0085Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 65.7W | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 19.5nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
宽度 3.3 mm | ||
长度 3.3mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Vishay N通道MOSFET专为各种电子应用中的高效功率开关而设计。它通过了全面的栅极电阻和无钳位电感开关测试，具有可靠性能，确保在严苛条件下稳定运行。该设备支持环保设计，符合RoHS标准并采用无卤素结构，适用于现代电源管理系统。
在严苛环境中支持高可靠性运行
适用于同步整流应用
非常适合用作电源转换器的初级侧开关
符合RoHS标准和无卤素要求