Vishay N 沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 396 A, PowerPack, 表面安装, 10引脚, SQJ134ELR-T1_GE3, TrenchFET系列

N
可享批量折扣

小计(1 件)*

¥20.86

(不含税)

¥23.57

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
库存信息目前无法查询
单位
每单位
1 - 9RMB20.86
10 - 24RMB13.54
25 - 99RMB7.12
100 - 499RMB6.92
500 +RMB6.82

* 参考价格

RS 库存编号:
735-243
制造商零件编号:
SQJ134ELR-T1_GE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

槽架类型

N 沟道

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

396A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

PowerPack

系列

TrenchFET

安装类型

表面安装

引脚数目

10

最大漏源电阻 Rd

0.021Ω

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

131nC

最大功耗 Pd

319W

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS Compliant

宽度

5.3 mm

长度

7.5mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN