Vishay N 沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 396 A, PowerPack, 表面安装, 10引脚, SQJ134ELR-T1_GE3, TrenchFET系列

N
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735-243
制造商零件编号:
SQJ134ELR-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N 沟道

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

396A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

TrenchFET

包装类型

PowerPack

安装类型

表面安装

引脚数目

10

最大漏源电阻 Rd

0.021Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

319W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

131nC

最高工作温度

175°C

长度

7.5mm

标准/认证

RoHS Compliant

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN