Vishay N 沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 222 A, PowerPack, 表面安装, 10引脚, SQJ182ER-T1_GE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 735-244
- 制造商零件编号:
- SQJ182ER-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
N
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB22.46 |
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| 100 - 499 | RMB7.42 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 735-244
- 制造商零件编号:
- SQJ182ER-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 222A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | PowerPack | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 10 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0061Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 93nC | |
| 最大功耗 Pd | 300W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 宽度 | 5.3 mm | |
| 长度 | 7.5mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 222A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 PowerPack | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 10 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0061Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 93nC | ||
最大功耗 Pd 300W | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
宽度 5.3 mm | ||
长度 7.5mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN