Vishay N沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 222 A, PowerPack, 表面安装, 10引脚, SQJ182ER-T1_GE3, TrenchFET系列

N
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735-244
制造商零件编号:
SQJ182ER-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N沟道

最大连续漏极电流 Id

222A

最大漏源电压 Vd

80V

包装类型

PowerPack

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

10

最大漏源电阻 Rd

0.0061Ω

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

93nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

300W

最高工作温度

175°C

宽度

5.3mm

长度

7.5mm

标准/认证

RoHS Compliant

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN

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