Vishay N沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 189 A, PowerPAK (8x8LR), 表面安装, 8引脚, SQJQ570ER-T1_GE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 735-253
- 制造商零件编号:
- SQJQ570ER-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB41.01 |
| 10 - 49 | RMB25.47 |
| 50 - 99 | RMB19.65 |
| 100 + | RMB13.34 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 735-253
- 制造商零件编号:
- SQJQ570ER-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 189A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 包装类型 | PowerPAK (8x8LR) | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0105Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 85nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 375W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 高度 | 1.9mm | |
| 长度 | 10.42mm | |
| 宽度 | 8mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 189A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
系列 TrenchFET | ||
包装类型 PowerPAK (8x8LR) | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0105Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 85nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 375W | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
高度 1.9mm | ||
长度 10.42mm | ||
宽度 8mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN