Vishay N 沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 62 A, TO-247AD, 通孔安装, 4引脚, SIHL039N60E-GE3, E Series系列

N
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735-261
制造商零件编号:
SIHL039N60E-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N 沟道

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

62A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

E Series

包装类型

TO-247AD

安装类型

通孔

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

0.039Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

357W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

82nC

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

±30 V

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS Compliant

宽度

16.13 mm

高度

5.21mm

长度

23.6mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN