Vishay N 沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 33 A, JEDEC TO-220AB, 通孔安装, 3引脚, SIHP110N65SF-GE3, SF Series系列
- RS 库存编号:
- 735-263
- 制造商零件编号:
- SIHP110N65SF-GE3
- 制造商:
- Vishay
N
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 735-263
- 制造商零件编号:
- SIHP110N65SF-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 33A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | JEDEC TO-220AB | |
| 系列 | SF Series | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.115Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最大功耗 Pd | 313W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 83nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 33A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 JEDEC TO-220AB | ||
系列 SF Series | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.115Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最大功耗 Pd 313W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 83nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
Vishay功率MOSFET专为在先进电子系统中实现高效能量处理而设计。它具有低有效电容特性，可显著降低开关和导通损耗，从而确保提升性能和可靠性。它具备雪崩能量额定值并符合环保标准，因此成为现代应用可靠且可持续的选择。
可降低开关和传导损耗，从而提升性能
提供雪崩能量评级以确保耐用性
确保优化设计所需的低品质因数
符合RoHS环保标准
采用无卤素结构，使用更安全