Vishay N 沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 201.5 A, PowerPAK SO-8, 表面安装, 8引脚, SIR5402DP-T1-UE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 735-264
- 制造商零件编号:
- SIR5402DP-T1-UE3
- 制造商:
- Vishay
N
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- RS 库存编号:
- 735-264
- 制造商零件编号:
- SIR5402DP-T1-UE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 201.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | PowerPAK SO-8 | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0017Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 82nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最大功耗 Pd | 92.5W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 宽度 | 5.26 mm | |
| 长度 | 6.25mm | |
| 高度 | 1.12mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 201.5A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 PowerPAK SO-8 | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0017Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 82nC | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最大功耗 Pd 92.5W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
宽度 5.26 mm | ||
长度 6.25mm | ||
高度 1.12mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
Vishay N通道MOSFET专为在高要求的电子系统中实现高效功率转换和控制而设计。它通过全面测试确保稳健性能，同时符合环保标准。它具有通用性，因此成为需要可靠整流、紧凑型dc/dc解决方案和精确电机驱动控制应用的理想选择。
提供100% Rg和UIS测试，确保可靠性
符合 RoHS 标准，保障环境安全
采用无卤素结构，可实现环保设计
支持同步整流，可实现高效电能转换
具有可靠的开关性能，支持电机驱动控制