Vishay P-通道沟道 增强型 MOSFET, Vds=-20 V, -104 A, PowerPAK 1212-8SH, 表面安装, 8引脚, SISH521EDN-T1-GE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 735-266
- 制造商零件编号:
- SISH521EDN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- 735-266
- 制造商零件编号:
- SISH521EDN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | P-通道 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | -104A | |
| 最大漏源电压 Vd | -20V | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212-8SH | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.006Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 102nC | |
| 最大功耗 Pd | 52W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 0.98mm | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 P-通道 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id -104A | ||
最大漏源电压 Vd -20V | ||
包装类型 PowerPAK 1212-8SH | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.006Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 102nC | ||
最大功耗 Pd 52W | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 0.98mm | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
长度 3.4mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN