Vishay P-通道沟道增强型MOSFET, Vds=-20 V, Id=-104 A, 8针, PowerPAK 1212-8SH, TrenchFET系列

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RS 库存编号:
735-266
制造商零件编号:
SISH521EDN-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

P-通道

最大连续漏极电流 Id

-104A

最大漏源电压 Vd

-20V

系列

TrenchFET

包装类型

PowerPAK 1212-8SH

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

0.006Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

52W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

12V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

102nC

最高工作温度

150°C

宽度

3.4mm

长度

3.4mm

高度

0.98mm

标准/认证

RoHS Compliant

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
CN

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