Vishay N 沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 85 A, PowerPAK SO-8L, 表面安装, 4引脚, SQJ746EP-T2_GE3, TrenchFET系列

N
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735-270
制造商零件编号:
SQJ746EP-T2_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N 沟道

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

85A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

TrenchFET

包装类型

PowerPAK SO-8L

安装类型

表面安装

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

0.0112Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

80W

最大栅源电压 Vgs

±20 V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

17nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

长度

6.2mm

标准/认证

RoHS Compliant

宽度

5.09 mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
DE
Vishay Automotive N通道40V 175°C MOSFET为高要求的汽车应用提供可靠的开关性能。它遵循严格的行业标准设计,确保在高温条件下仍经久耐用,同时保持效率。它符合汽车级认证和环保法规,因此成为现代汽车电子系统值得信赖的选择。

包括AEC Q101汽车可靠性认证

提供100% Rg和UIS测试,确保稳健性

支持最高175°C结温运行

提供40V漏极至源极电压能力

符合 RoHS 标准,保障环境安全

采用无卤素结构,可实现环保设计