Vishay P-通道沟道 增强型 MOSFET, Vds=-30 V, -2.5 A, SOT-23, 表面安装, 3引脚, SQ2303CES-T1_GE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 735-275
- 制造商零件编号:
- SQ2303CES-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
N
可享批量折扣
查看批量定价选项小计（1 件）*
RMB1.91
(不含税)
RMB2.16
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 24 | RMB1.91 |
| 25 - 99 | RMB1.30 |
| 100 - 499 | RMB0.70 |
| 500 + | RMB0.60 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 735-275
- 制造商零件编号:
- SQ2303CES-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P-通道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | -2.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | -30V | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.37Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 1.9W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 2.64mm | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 高度 | 1.12mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P-通道 | ||
最大连续漏极电流 Id -2.5A | ||
最大漏源电压 Vd -30V | ||
系列 TrenchFET | ||
包装类型 SOT-23 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.37Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 1.9W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.7nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 2.64mm | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
长度 3.04mm | ||
高度 1.12mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE