Vishay P-通道沟道增强型MOSFET, Vds=-30 V, Id=-2.5 A, 3针, SOT-23, TrenchFET系列

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735-275
制造商零件编号:
SQ2303CES-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

P-通道

最大连续漏极电流 Id

-2.5A

最大漏源电压 Vd

-30V

包装类型

SOT-23

系列

TrenchFET

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.37Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

最大功耗 Pd

1.9W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

4.7nC

最高工作温度

175°C

宽度

2.64mm

标准/认证

RoHS Compliant

长度

3.04mm

高度

1.12mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
DE

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