Vishay N沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 99 A, PowerPAK SO-8L, 表面安装, 4引脚, SQJ742EP-T1_GE3, TrenchFET系列

N
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735-278
制造商零件编号:
SQJ742EP-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

产品类型

MOSFET

槽架类型

N沟道

最大连续漏极电流 Id

99A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

TrenchFET

包装类型

PowerPAK SO-8L

安装类型

表面

引脚数目

4

最大漏源电阻 Rd

0.009Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

28nC

最大功耗 Pd

88W

最高工作温度

175°C

宽度

4.9mm

长度

6.15mm

标准/认证

RoHS Compliant

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN