Vishay N沟道, P-通道沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 4.7 A, TSOP-6, 表面安装, 6引脚, SQ3583CEV-T1_GE3, SQ3583CEV系列
- RS 库存编号:
- 736-343
- 制造商零件编号:
- SQ3583CEV-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 736-343
- 制造商零件编号:
- SQ3583CEV-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N沟道, P-通道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4.7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 系列 | SQ3583CEV | |
| 包装类型 | TSOP-6 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.077Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12V | |
| 最大功耗 Pd | 1.67W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 6nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N沟道, P-通道 | ||
最大连续漏极电流 Id 4.7A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
系列 SQ3583CEV | ||
包装类型 TSOP-6 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.077Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 12V | ||
最大功耗 Pd 1.67W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Vishay 双路 MOSFET 专为高可靠性应用设计。该元件采用 TrenchFET 技术，在紧凑型 TSOP-6 封装中实现高效电源管理。
符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车应用
100% 通过栅极电阻与雪崩能量测试，确保稳健性能