Vishay N沟道, P-通道沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 4.7 A, TSOP-6, 表面安装, 6引脚, SQ3583CEV-T1_GE3, SQ3583CEV系列

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制造商零件编号:
SQ3583CEV-T1_GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N沟道, P-通道

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

4.7A

最大漏源电压 Vd

20V

包装类型

TSOP-6

系列

SQ3583CEV

安装类型

表面

引脚数目

6

最大漏源电阻 Rd

0.077Ω

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.1V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

6nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

1.67W

最大栅源电压 Vgs

12V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
DE
Vishay 双路 MOSFET 专为高可靠性应用设计。该元件采用 TrenchFET 技术，在紧凑型 TSOP-6 封装中实现高效电源管理。

符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车应用

100% 通过栅极电阻与雪崩能量测试，确保稳健性能

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