Vishay N 沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 1.9 A, SOT-23 (TO-236AB), 表面安装, 3引脚, SI2324BDS-T1-GE3, SI2324BDS系列
- RS 库存编号:
- 736-344
- 制造商零件编号:
- SI2324BDS-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
N
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- 制造商零件编号:
- SI2324BDS-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1.9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | SOT-23 (TO-236AB) | |
| 系列 | SI2324BDS | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.21Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 1.86nC | |
| 最大功耗 Pd | 1.7W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 1.9A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 SOT-23 (TO-236AB) | ||
系列 SI2324BDS | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.21Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1.86nC | ||
最大功耗 Pd 1.7W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
Vishay N 沟道 MOSFET 专为优化电源管理应用而设计，具备稳健的 100V 漏源电压额定值及增强的热特性，确保高效运行。
高热阻性能显著提升可靠性
专为 LED 背光与 DC-DC 转换器应用设计