Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=100 V, Id=1.9 A, 3针, SOT-23 (TO-236AB), SI2324BDS系列

N
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736-344
制造商零件编号:
SI2324BDS-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

1.9A

最大漏源电压 Vd

100V

包装类型

SOT-23 (TO-236AB)

系列

SI2324BDS

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.21Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

1.7W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

1.86nC

正向电压 Vf

1.2V

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
IL
Vishay N 沟道 MOSFET 专为优化电源管理应用而设计，具备稳健的 100V 漏源电压额定值及增强的热特性，确保高效运行。

高热阻性能显著提升可靠性

专为 LED 背光与 DC-DC 转换器应用设计

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