Vishay N沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 322 A, PowerPAK 8 x 8, 表面安装, 8引脚, SIEH3812EW-T1-GE3, SIEH3812EW系列
- RS 库存编号:
- 736-346
- 制造商零件编号:
- SIEH3812EW-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
N
可享批量折扣
查看批量定价选项小计（1 卷，共 1 件）*
RMB58.46
(不含税)
RMB66.06
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
Tape(s) | Per Tape |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB58.46 |
| 10 - 49 | RMB36.20 |
| 50 - 99 | RMB28.08 |
| 100 + | RMB18.95 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 736-346
- 制造商零件编号:
- SIEH3812EW-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 322A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | PowerPAK 8 x 8 | |
| 系列 | SIEH3812EW | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.00175Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 154nC | |
| 最大功耗 Pd | 417W | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 8mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 8mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 322A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 PowerPAK 8 x 8 | ||
系列 SIEH3812EW | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.00175Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 154nC | ||
最大功耗 Pd 417W | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 8mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 8mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Vishay 功率 MOSFET 采用 N 沟道设计，支持大电流连续漏极工作，在高能效应用中表现卓越，是先进能源管理解决方案的理想选择。
完全无铅无卤素结构，符合环保规范
100% 通过雪崩能量与导通电阻测试，确保可靠性