Vishay N沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 130 A, PowerPAK SO-8, 表面安装, 8引脚, SIR680LDP-T1-BE3, SIR680LDP系列
- RS 库存编号:
- 736-348
- 制造商零件编号:
- SIR680LDP-T1-BE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|
| 1 - 9 | RMB20.56 |
| 10 - 24 | RMB13.34 |
| 25 - 99 | RMB7.02 |
| 100 - 499 | RMB6.82 |
| 500 + | RMB6.62 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 736-348
- 制造商零件编号:
- SIR680LDP-T1-BE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 130A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | SIR680LDP | |
| 包装类型 | PowerPAK SO-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0028Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 104W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 40nC | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 6.15mm | |
| 宽度 | 5.15mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N沟道 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 130A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 SIR680LDP | ||
包装类型 PowerPAK SO-8 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0028Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 104W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 40nC | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 6.15mm | ||
宽度 5.15mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
Vishay N 沟道 MOSFET 专为各类应用中的高效电源管理而设计。可在 80 V 电压下高效运行，在同步整流和电机驱动开关任务中表现卓越。
采用 TrenchFET Gen IV 技术，提升功率效率
在 10V 电压下呈现极低的导通电阻 (0.0028Ω)，确保传导损耗最小化
额定连续漏极电流为 130A，适用于高要求应用场景