Vishay N沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 54.7 A, PowerPAK 1212-8S, 表面安装, 8引脚, SISS30DN-T1-BE3, SISS30DN系列
- RS 库存编号:
- 736-352
- 制造商零件编号:
- SISS30DN-T1-BE3
- 制造商:
- Vishay
N
可享批量折扣
查看批量定价选项小计（1 卷，共 1 件）*
RMB10.83
(不含税)
RMB12.24
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
Tape(s) | Per Tape |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB10.83 |
| 10 - 24 | RMB7.02 |
| 25 - 99 | RMB3.71 |
| 100 - 499 | RMB3.61 |
| 500 + | RMB3.51 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 736-352
- 制造商零件编号:
- SISS30DN-T1-BE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 54.7A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | SISS30DN | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212-8S | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.00825Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 最大功耗 Pd | 57W | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 26nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 3.3mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N沟道 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 54.7A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 SISS30DN | ||
包装类型 PowerPAK 1212-8S | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.00825Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
最大功耗 Pd 57W | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 26nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 3.3mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 3.3mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
这款 Vishay N 沟道 MOSFET 专为高效同步整流和功率转换应用而设计。它在严苛环境中提供卓越的性能稳定性。
TrenchFET Gen IV 技术显著提升电能效率
极低的导通电阻有效减少运行时的能量损耗