Vishay 双N沟道 增强型 MOSFET, Vds=70 V, 60 A, PowerPAIR 3 x 3FS, 表面安装, 8引脚, SIZF456LDT-T1-UE3, SIZF456LDT系列
- RS 库存编号:
- 736-357
- 制造商零件编号:
- SIZF456LDT-T1-UE3
- 制造商:
- Vishay
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- 制造商零件编号:
- SIZF456LDT-T1-UE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | 双N沟道 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 60A | |
| 最大漏源电压 Vd | 70V | |
| 包装类型 | PowerPAIR 3 x 3FS | |
| 系列 | SIZF456LDT | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0016Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 48W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 15nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 3.3mm | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 双N沟道 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 60A | ||
最大漏源电压 Vd 70V | ||
包装类型 PowerPAIR 3 x 3FS | ||
系列 SIZF456LDT | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0016Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 48W | ||
最大栅源电压 Vgs 12V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 15nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 3.3mm | ||
长度 3.3mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
Vishay 功率 MOSFET 采用高性能双 N 沟道架构，通过倒装芯片技术实现高效热管理以增强散热性能。本设备专为严苛应用场景设计，例如同步降压转换器及电信直流-直流转换电路。
采用稳健设计，连续漏极电流额定值达 42.5A
结至环境热阻最大值 28°C/W，确保热稳定性