Vishay 双N沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 100 A, PowerPAIR 3 x 3FS, 表面安装, 12引脚, SIZF5302DT-T1-UE3, SIZF5302DT系列
- RS 库存编号:
- 736-358
- 制造商零件编号:
- SIZF5302DT-T1-UE3
- 制造商:
- Vishay
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- 制造商零件编号:
- SIZF5302DT-T1-UE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | 双N沟道 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 100A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | SIZF5302DT | |
| 包装类型 | PowerPAIR 3 x 3FS | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 12 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.0032Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16V | |
| 最大功耗 Pd | 48.1W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 14.8nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 3.3mm | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 双N沟道 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 100A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 SIZF5302DT | ||
包装类型 PowerPAIR 3 x 3FS | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 12 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.0032Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 16V | ||
最大功耗 Pd 48.1W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 14.8nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 3.3mm | ||
长度 3.3mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
Vishay 双路 N 沟道 MOSFET，可在同步降压转换器及计算机外设等多种应用中实现高效电源管理。
采用 TrenchFET Gen V 技术，以实现更高的效率
采用双 N 沟道架构，优化散热性能
在 25°C 环境下可承受 28.1A 最大连续漏极电流