Vishay N沟道 N型 功率半导体, Vds=1200 V, 52 A, TO-263-7L, SMD安装, 7引脚, MXP120A045SE-T1GE3, MXP系列
- RS 库存编号:
- 736-648
- 制造商零件编号:
- MXP120A045SE-T1GE3
- 制造商:
- Vishay
N
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- RS 库存编号:
- 736-648
- 制造商零件编号:
- MXP120A045SE-T1GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N沟道 | |
| 产品类型 | 功率半导体 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 52A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 包装类型 | TO-263-7L | |
| 系列 | MXP | |
| 安装类型 | SMD | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 82mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 82nC | |
| 最大功耗 Pd | 268W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 22V | |
| 正向电压 Vf | 4.9V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N沟道 | ||
产品类型 功率半导体 | ||
最大连续漏极电流 Id 52A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
包装类型 TO-263-7L | ||
系列 MXP | ||
安装类型 SMD | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 82mΩ | ||
通道模式 N | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 82nC | ||
最大功耗 Pd 268W | ||
最大栅源电压 Vgs 22V | ||
正向电压 Vf 4.9V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- TW
Vishay N 沟道碳化硅 MOSFET 为大功率太阳能逆变器和储能系统提供卓越性能。该稳健元件通过为严苛电子设备提供可靠的 3 微秒短路耐受时间，优先保障运行安全。
快速开关速度实现高效率
先进碳化硅技术
增强不间断电源系统可靠性
符合工业标准的材料分类