Vishay N沟道 N型 MOSFET, Vds=1200 V, 51 A, TO-247AD 3L, 通孔安装, 3引脚, MXPQ120A045SW-GE3, MXP系列

N
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736-651
制造商零件编号:
MXPQ120A045SW-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N沟道

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

51A

最大漏源电压 Vd

1200V

包装类型

TO-247AD 3L

系列

MXP

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

82mΩ

通道模式

N

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

254W

最大栅源电压 Vgs

22V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

84nC

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS Compliant

汽车标准

COO (Country of Origin):
CN
Vishay N 沟道碳化硅 MOSFET 是高性能半导体器件,已通过 AEC-Q101 认证,专门满足汽车应用的严苛要求。该组件确保电动汽车车载充电器和 DC-DC 转换器实现最高安全性与运行效率。

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可持续材料合规标准