Vishay 双N沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 23.5 A, SO-8L, 表面安装, 8引脚, SQJ968EP-T1_BE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 736-655
- 制造商零件编号:
- SQJ968EP-T1_BE3
- 制造商:
- Vishay
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 736-655
- 制造商零件编号:
- SQJ968EP-T1_BE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | 双N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 23.5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | SO-8L | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.134Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 18.5nC | |
| 最大功耗 Pd | 42W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 1.07mm | |
| 长度 | 5.13mm | |
| 宽度 | 6.15mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 双N | ||
最大连续漏极电流 Id 23.5A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 SO-8L | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.134Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 18.5nC | ||
最大功耗 Pd 42W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 1.07mm | ||
长度 5.13mm | ||
宽度 6.15mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE