Vishay 双N沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 125 A, PowerPAIR 3 x 3FS, 表面安装, 12引脚, SIZF5300DT-T1-UE3, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 736-656
- 制造商零件编号:
- SIZF5300DT-T1-UE3
- 制造商:
- Vishay
N
可享批量折扣
小计（1 卷，共 1 件）*
RMB20.16
(不含税)
RMB22.78
(含税)
暂时缺货
- 在 2027年6月21日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
Tape(s) | Per Tape |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB20.16 |
| 10 - 24 | RMB13.14 |
| 25 - 99 | RMB6.82 |
| 100 - 499 | RMB6.72 |
| 500 + | RMB6.52 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 736-656
- 制造商零件编号:
- SIZF5300DT-T1-UE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | 双N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 125A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | PowerPAIR 3 x 3FS | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 12 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.00351Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 32nC | |
| 最大功耗 Pd | 56.8W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 3.3mm | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 双N | ||
最大连续漏极电流 Id 125A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 PowerPAIR 3 x 3FS | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 12 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.00351Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 16V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 32nC | ||
最大功耗 Pd 56.8W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 3.3mm | ||
长度 3.3mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- IL
这款 Vishay 高性能双 N 通道 MOSFET 专为各种应用中的高效电源管理而设计，可提供卓越的热性能和开关能力。
TrenchFET Gen V 技术可优化效率和性能
对称双 N 通道配置可实现多功能电路设计
高侧和低侧 MOSFET 支持 50% 占空比应用
广泛测试确保在苛刻条件下可靠运行