STMicroelectronics N 沟道 N型 功率 MOSFET, Vds=650 V, 26 A, HU3PAK, 表面安装, 7引脚, STHU65N110DM9AG, STHU65N1系列
- RS 库存编号:
- 762-553
- 制造商零件编号:
- STHU65N110DM9AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
N
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB25.30 |
| 10 - 24 | RMB24.52 |
| 25 - 99 | RMB24.03 |
| 100 - 499 | RMB20.50 |
| 500 + | RMB19.22 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 762-553
- 制造商零件编号:
- STHU65N110DM9AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 26A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | HU3PAK | |
| 系列 | STHU65N1 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 110mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 正向电压 Vf | 1.6V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 78nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | |
| 最大功耗 Pd | 179W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 0.95mm | |
| 宽度 | 14.1 mm | |
| 标准/认证 | AEC-Q101 | |
| 长度 | 11.9mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 26A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 HU3PAK | ||
系列 STHU65N1 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 110mΩ | ||
通道模式 N | ||
正向电压 Vf 1.6V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 78nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs ±30 V | ||
最大功耗 Pd 179W | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 0.95mm | ||
宽度 14.1 mm | ||
标准/认证 AEC-Q101 | ||
长度 11.9mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
STMicroelectronics N通道超级结功率MOSFET是一款基于先进MDmesh M9超级结技术的高效功率设备。它专为注重低导通损耗和快速开关的中高压应用而设计。
极低的 FOM
dv/dt 性能更高
出色的开关性能
100% 通过雪崩测试