Infineon N沟道 MOSFET, Vds=750 V, 64 A, PG-TO263-7, 通孔安装, 7引脚, AIMBG75R007M2HXTMA1, AIMBG75R系列

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制造商零件编号:
AIMBG75R007M2HXTMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N沟道

最大连续漏极电流 Id

64A

最大漏源电压 Vd

750V

包装类型

PG-TO263-7

系列

AIMBG75R

安装类型

通孔

引脚数目

7

最大漏源电阻 Rd

31mΩ

最大功耗 Pd

234W

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

23V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
MY
Infineon MOSFET 是专为汽车应用设计的高性能电源设备,可在严苛环境中提供高效的开关功能和强大的可靠性。

可在750V的最大漏源电压下工作,具有卓越的热管理能力

具有同类最佳RDS(on),可提高电能效率

确保在超过500V的总线电压下具有更强的稳健性

可在软开关拓扑结构中实现更高的开关频率