Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=750 V, 64 A, PG-TO263-7, 表面安装, 7引脚, AIMBG75R025M2HXTMA1, AIMBG75R系列

N

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制造商零件编号:
AIMBG75R025M2HXTMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

64A

最大漏源电压 Vd

750V

系列

AIMBG75R

包装类型

PG-TO263-7

安装类型

表面安装

引脚数目

7

最大漏源电阻 Rd

31mΩ

最大栅源电压 Vgs

23V

最大功耗 Pd

234W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

169nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

高度

15mm

长度

10.2mm

宽度

10.2mm

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
MY
Infineon 高性能汽车功率器件专为需要稳健 750V 技术的应用而设计,旨在提供无与伦比的可靠性和效率。

通过 100% 雪崩测试的高度稳健技术确保长久使用寿命

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