Infineon N 沟道 MOSFET, Vds=750 V, 64 A, PG-TO263-7, SMD安装, 7引脚, AIMBG75R040M2HXTMA1, AIMBG75R系列
- RS 库存编号:
- 762-869
- 制造商零件编号:
- AIMBG75R040M2HXTMA1
- 制造商:
- Infineon
N
可享批量折扣
小计（1 件）*
¥155.65
(不含税)
¥175.88
(含税)
新商品 - 立即预订
- 在 2026年5月11日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB155.65 |
| 10 - 24 | RMB140.06 |
| 25 + | RMB115.14 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 762-869
- 制造商零件编号:
- AIMBG75R040M2HXTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 64A | |
| 最大漏源电压 Vd | 750V | |
| 系列 | AIMBG75R | |
| 包装类型 | PG-TO263-7 | |
| 安装类型 | SMD | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 31mΩ | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 169nC | |
| 最大功耗 Pd | 234W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 23V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 15mm | |
| 长度 | 9.8mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 64A | ||
最大漏源电压 Vd 750V | ||
系列 AIMBG75R | ||
包装类型 PG-TO263-7 | ||
安装类型 SMD | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 31mΩ | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 169nC | ||
最大功耗 Pd 234W | ||
最大栅源电压 Vgs 23V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 15mm | ||
长度 9.8mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon MOSFET 是专为汽车应用设计的高性能电源设备,可在严苛环境中提供高效的开关功能和强大的可靠性。
坚固耐用的 750V 技术确保高可靠性和高性能
设计具有增强的散热性能,可提高系统效率
具有卓越的开关特性,可提高运行频率
通过创新的栅极控制机制大大降低开关损耗