Infineon N 沟道 MOSFET, Vds=750 V, 64 A, PG-TO263-7, 表面安装, 7引脚, AIMBG75R050M2HXTMA1, AIMBG75R系列
- RS 库存编号:
- 762-870
- 制造商零件编号:
- AIMBG75R050M2HXTMA1
- 制造商:
- Infineon
N
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- RS 库存编号:
- 762-870
- 制造商零件编号:
- AIMBG75R050M2HXTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 64A | |
| 最大漏源电压 Vd | 750V | |
| 包装类型 | PG-TO263-7 | |
| 系列 | AIMBG75R | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 31mΩ | |
| 最大栅源电压 Vgs | 23V | |
| 最大功耗 Pd | 234W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 169nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 64A | ||
最大漏源电压 Vd 750V | ||
包装类型 PG-TO263-7 | ||
系列 AIMBG75R | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 31mΩ | ||
最大栅源电压 Vgs 23V | ||
最大功耗 Pd 234W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 169nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon 高性能 SiC MOSFET 通过促进有效的功率转换和管理来提升汽车应用的效率。
采用高度稳健的 750V 技术,100% 雪崩测试
在硬切换和高切换频率中提供卓越的效率
具有出色的散热性能,确保可靠运行
包含一体式ESD二极管,可增强坚固性