Infineon 半桥 N 沟道 增强型 MOSFET 模块, Vds=2300 V, 1335 A, AG-XHP2K33, 螺钉接线端子安装, 15引脚, FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1, XHP 2系列
- RS 库存编号:
- 762-885
- 制造商零件编号:
- FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1
- 制造商:
- Infineon
N
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|---|---|
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- 762-885
- 制造商零件编号:
- FF1000UXTR23T2M1B5BPSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 产品类型 | MOSFET 模块 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1335A | |
| 最大漏源电压 Vd | 2300V | |
| 系列 | XHP 2 | |
| 包装类型 | AG-XHP2K33 | |
| 安装类型 | 螺钉接线端子 | |
| 引脚数目 | 15 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.19mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | -23 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 5.3μC | |
| 最大功耗 Pd | 20mW | |
| 正向电压 Vf | 6.25V | |
| 晶体管配置 | 半桥 | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 100 mm | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 长度 | 140mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
产品类型 MOSFET 模块 | ||
最大连续漏极电流 Id 1335A | ||
最大漏源电压 Vd 2300V | ||
系列 XHP 2 | ||
包装类型 AG-XHP2K33 | ||
安装类型 螺钉接线端子 | ||
引脚数目 15 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.19mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大栅源电压 Vgs -23 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 5.3μC | ||
最大功耗 Pd 20mW | ||
正向电压 Vf 6.25V | ||
晶体管配置 半桥 | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 100 mm | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
长度 140mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- DE
Infineon CoolSiC MOSFET半桥模块的额定电压为2300 V,支持高电流密度。它采用AlSiC基板,可提高热循环能力,并具有高爬电距离和间隙距离。
低电感设计
低开关损耗
高功率密度