Infineon 半桥 N 沟道 增强型 MOSFET 模块, Vds=2300 V, 675 A, XHP-2, 螺钉接线端子安装, 15引脚, FF2000UXTR23T2M1PBPSA1, XHP 2系列

N

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RS 库存编号:
762-892
制造商零件编号:
FF2000UXTR23T2M1PBPSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET 模块

槽架类型

N 沟道

最大连续漏极电流 Id

675A

最大漏源电压 Vd

2300V

系列

XHP 2

包装类型

XHP-2

安装类型

螺钉接线端子

引脚数目

15

最大漏源电阻 Rd

2.4mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

2.65μC

最低工作温度

-40°C

最大功耗 Pd

20mW

正向电压 Vf

6.25V

最大栅源电压 Vgs

-23 V

最高工作温度

150°C

晶体管配置

半桥

标准/认证

RoHS Compliant

宽度

100 mm

长度

140mm

汽车标准

COO (Country of Origin):
DE
Infineon CoolSiC MOSFET半桥模块的额定电压为2300 V,支持高电流密度。它采用AlSiC基板,可提高热循环能力,并具有高爬电距离和间隙距离。

低电感设计

低开关损耗

高功率密度