Infineon N 沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=80 V, 127 A, PG-WHTFN-9, 表面安装, 9引脚, IQE031N08LM6CGSCATMA1, OptiMOS系列
- RS 库存编号:
- 762-895
- 制造商零件编号:
- IQE031N08LM6CGSCATMA1
- 制造商:
- Infineon
N
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- RS 库存编号:
- 762-895
- 制造商零件编号:
- IQE031N08LM6CGSCATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 127A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | OptiMOS | |
| 包装类型 | PG-WHTFN-9 | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 9 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.15mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 33nC | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最大功耗 Pd | 125W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 宽度 | 3.4 mm | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
最大连续漏极电流 Id 127A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 OptiMOS | ||
包装类型 PG-WHTFN-9 | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 9 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.15mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 33nC | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最大功耗 Pd 125W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
长度 3.4mm | ||
宽度 3.4 mm | ||
高度 0.75mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- MY
Infineon OptiMOS 6功率晶体管针对高性能SMPS进行了优化,额定电压为80 V。它符合IEC61249-2-21标准,无卤,并符合RoHS标准。
N‐通道
100% 雪崩测试
75°C 工作温度
无铅引线镀层