Infineon 半桥 N 沟道 增强型 MOSFET 模块, Vds=1200 V, 185 A, AG-62MMHB, 螺钉接线端子安装, 7引脚, FF5MR20KM1HSHPSA1, C Series系列
- RS 库存编号:
- 762-899
- 制造商零件编号:
- FF5MR20KM1HSHPSA1
- 制造商:
- Infineon
N
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|---|---|
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- 762-899
- 制造商零件编号:
- FF5MR20KM1HSHPSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N 沟道 | |
| 产品类型 | MOSFET 模块 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 185A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1200V | |
| 包装类型 | AG-62MMHB | |
| 系列 | C Series | |
| 安装类型 | 螺钉接线端子 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.62mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | -23 V | |
| 最大功耗 Pd | 20mW | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 2.65μC | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 正向电压 Vf | 6.25V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 晶体管配置 | 半桥 | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 长度 | 106.4mm | |
| 宽度 | 61.4 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N 沟道 | ||
产品类型 MOSFET 模块 | ||
最大连续漏极电流 Id 185A | ||
最大漏源电压 Vd 1200V | ||
包装类型 AG-62MMHB | ||
系列 C Series | ||
安装类型 螺钉接线端子 | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.62mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs -23 V | ||
最大功耗 Pd 20mW | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 2.65μC | ||
最低工作温度 -40°C | ||
正向电压 Vf 6.25V | ||
最高工作温度 175°C | ||
晶体管配置 半桥 | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
长度 106.4mm | ||
宽度 61.4 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- HU
Infineon CoolSiC Trench MOSFET半桥模块的额定电压为2000 V,支持高电流密度。它适用于UPS系统、直流/直流转换器、高频开关应用、太阳能应用、储能系统 (ESS) 和电动汽车直流充电器。
低开关损耗
高电流密度
符合工业应用标准
4 kV 交流 1 分钟绝缘